삼성, '세계 최초' HBM4E 12단 샘플 출하…AI 메모리 공략 속도

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 제품인 'HBM4E 12단' 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다. 지난 2월 HBM4 양산 출하에 이어 HBM4E 샘플까지 내놓으면서, 차세대 AI 가속기용 메모리 시장 대응에 속도를 내는 모습이다.

HBM4 이어 HBM4E 샘플 공급

삼성전자는 세계 최초로 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 출하했다고 29일 밝혔다. 회사 측은 이번 제품에 1c D램과 4나노 로직 다이를 적용해 공정 안정성과 양산성을 확보했다고 설명했다.

삼성전자는 앞서 지난 2월 HBM4 양산 출하에 성공한 데 이어, 수개월 만에 HBM4E 샘플 공급을 시작했다. HBM4E는 HBM4의 후속 제품군으로, 차세대 AI 가속기와 데이터센터용 고성능 메모리 수요를 겨냥한 제품이다.

이번 제품은 12단 적층 구조로 48GB 용량을 구현했다. 회사는 향후 고객사 수요와 서비스 환경에 맞춰 32GB 8단, 64GB 16단 제품까지 라인업을 확대할 계획이다.

성능도 끌어올렸다. 삼성전자에 따르면 HBM4E는 핀당 14Gbps 속도로 안정적으로 동작하며, 최대 16Gbps까지 구현할 수 있다. 이는 전작 HBM4 대비 20% 이상 향상된 수준이다. 단일 스택 기준 대역폭은 초당 3.6TB다.

속도·전력 효율·양산성 동시 개선

삼성전자는 이번 HBM4E에 1c, 즉 10나노급 6세대 D램과 자체 파운드리 4나노 로직 다이를 적용했다. 회사는 이미 HBM4에서 검증한 조합을 HBM4E에도 적용해 공정 안정성과 수율, 양산성을 함께 확보했다는 설명이다.

전력과 발열 특성도 개선했다. 삼성전자에 따르면 HBM4E는 저전력 설계와 패키징 구조 최적화를 통해 전작 대비 에너지 효율을 16% 높였고, 열 저항 특성은 14% 이상 개선했다. 고속 동작이 요구되는 AI 연산 환경에서 안정적인 성능 유지에 초점을 맞춘 것이다.

삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 HBM4E 양산 공급을 추진할 예정이다. 메모리와 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징을 아우르는 '원스톱' 공급 체계를 바탕으로 고객 수요에 대응한다는 계획이다.

기존 HBM4 공급도 확대 중이다. 삼성전자는 지난 2월 세계 최초로 HBM4를 양산 출하했으며, 글로벌 고객사를 대상으로 공급을 늘리고 있다고 밝혔다. 회사 측에 따르면 삼성전자 HBM4는 지난해 12월 최종 인증 단계인 SiP(System in Package) 테스트에서 11.7Gbps 속도를 입증하며 최고 등급 평가를 받았다.

HBM4와 HBM4E 모두 1c D램과 4나노 베이스 다이 조합을 적용했다는 점도 눈에 띈다. 삼성전자는 HBM4 양산 경험을 바탕으로 HBM4E의 양산 전환 가능성을 높게 보고 있다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수하며 삼성전자의 독보적인 기술 리더십을 시장에 확실히 각인시켰다"며 "앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것"이라고 말했다.

홍민성 한경닷컴 기자 mshong@hankyung.com