SK하닉 안현 "AI는 이제 시작…대한민국에 절호의 찬스"

안현 사장, 반도체대전2026 기조연설HBM 이후 차세대 '3D스택 D램' 제시"커스텀HBM 시대 올 것"…HBF도 강조 등록 2026-10-14 오후 12:18:27 수정 2026-10-14 오후 12:18:27 가 가 [이데일리 김소연 최오현 기자] SK하이닉스 안현 개발총괄 사장은 “인공지능(AI) 수요는 이제 시작”이라며 “인류가 경험하지 못한 속도로 AI 기술 확산되고 있어 기술의 대중화 주기는 점점 짧아지고 있다”고 강조했다. 그러면서 “AI 확산을 통해 메모리가 한국의 최고의 산업이라는데 공감해주실 것이라 보고, 대한민국에 절호의 찬스가 왔다”고 덧붙였다. 14일 서울 코엑스에서 열리는 반도체대전(SEDEX) 2026 기조연설에서 안 사장은 이 같이 말했다. 안 사장은 인공지능(AI)시대, 메모리 혁신의 방향을 묻다를 주제로 기조연설을 진행했다. 14일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 반도체대전(SEDEX) 2026 기조연설에서 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장이 발표하고 있다. (사진=김소연 기자)안 사장은 글로벌 빅테크 기업의 실적 컨퍼런스콜에서 나왔던 AI 수요 관련 언급들을 차례로 소개했다. 그러면서 AI 인프라는 2030년까지 약 20배 성장할 것이라며 올해부터 2030년까지 연평균 109% 성장할 것이라고 제시했다. 그는 “데이터센터와 반도체 산업도 과거와 같은 속도로 하나씩 정할 수 없다”며 “메모리 개발, 표준화, 생산 능력 확보는 AI 수요 형성 전부터 미리 준비되어야 한다”고 했다. 고대역폭메모리(HBM) 이후에 차세대 AI 메모리로 ‘3D 스택 D램’을 제시했다. 안 사장은 “현존하는 가장 빠른 메모리는 S램”이라면서 “S램과 HBM 사이에 새로운 계층의 메모리가 개발되어야 한다”고 설명했다. 그러면서 HBM과 S램 사이의 차세대 AI 메모리로 3D 스택 D램을 꼽았다. 3D 스택 D램은 그래픽처리장치(GPU) 위에 바로 D램을 올리고 실리콘관통전극(TSV)으로 연결하면 프로세서와 메모리를 연결한 제품이다. 안 사장은 “프로세서와 메모리를 바로 연결하면서 대역폭 증가, 파워 절감, 열처리 할 수 있는 어드밴스드 패키지와 결합된다면 새로운 AI 메모리 솔루션으로 성장할 수 있다”고 말했다. 기존의 대역폭을 수십배 늘리면서 AI 모델 성능의 병목을 해결할 수 있는 새로운 메모리 계층이라는 설명이다. 14일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 반도체대전(SEDEX) 2026 기조연설에서 안현 SK...