PLUS 글로벌HBM반도체 ETF, 3년 수익률 7배 육박

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PLUS 글로벌HBM반도체 ETF, 3년 수익률 7배 육박

입력 : 2026.05.21 15:40

반도체 ETF 3년 누적 수익률 1위
5월 리밸런싱서 샌디스크 신규 편입

PLUS 글로벌HBM반도체, 반도체 ETF 3년 누적 수익률 1위. 사진=한화자산운용

PLUS 글로벌HBM반도체, 반도체 ETF 3년 누적 수익률 1위. 사진=한화자산운용

한화자산운용은 PLUS 글로벌HBM반도체 ETF가 최근 3년간 누적 수익률 670%를 넘기며 수익률 1위를 기록했다고 21일 밝혔다. HBM·D램·낸드·메모리 장비로 이어지는 글로벌 메모리 반도체 밸류체인 전반에 분산 투자하는 전략으로 차별화된 성과를 내고 있다.

Fn스펙트럼에 따르면 지난 20일 기준 반도체 투자 ETF 가운데 최근 3년 누적 수익률 500% 이상을 기록한 상품(레버리지·인버스 제외)은 3개다. 이 가운데 PLUS 글로벌HBM반도체는 676.67%로 가장 높은 수익률을 기록했다.

편입 종목들의 주가 흐름이 강세를 뒷받침하고 있다. 최근 3개월 기준 SK하이닉스는 92.9%, 삼성전자 54%, 마이크론 71%, 샌디스크 114.2% 등의 상승률을 기록했다. 최근 1년 기준으로는 SK하이닉스 812.2%, 삼성전자 427.8%, 마이크론 646.2%, 샌디스크 3365.8%의 상승률을 보였다.

핵심 편입 종목은 글로벌 메모리 3사인 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론이다. 이들 종목이 포트폴리오의 약 75~80%를 차지한다. 이번 5월 정기 리밸런싱에서는 PLUS 글로벌HBM반도체 ETF는 샌디스크를 신규 편입해 낸드 노출을 높이고, 테라다인과 테크윙 등 메모리 테스트·후공정 장비주를 담아 메모리 설비투자 확대 국면의 수혜까지 함께 노릴 수 있도록 했다.

특히 포트폴리오에서 낸드 비중을 끌어올린 점이 특징이다. 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 한정된 팹 자원과 설비투자를 수익성이 높은 HBM·D램에 우선 배분하면서 낸드 웨이퍼 투입량을 잇따라 축소하고 있다. 이로 인해 낸드 사업 비중이 큰 샌디스크 등 전문 업체가 가격 상승과 점유율 확대의 수혜를 상대적으로 크게 누릴 수 있다는 분석이 나온다. 데이비드 게클러 샌디스크 최고경영자(CEO)는 지난 3월 콘퍼런스콜에서 “불과 수개월 전 20~40%로 예상한 올해 데이터센터 부문 낸드 시장 성장률을 60%로 수정했다”며 “관련 수요 증가 수준을 가늠하기 어려운 상황”이라고 밝힌 바 있다.

금정섭 한화자산운용 ETF사업본부장은 “AI 인프라 투자가 GPU 중심에서 HBM, 서버 D램, 데이터센터 낸드로 확산되고 있다”며 “PLUS 글로벌HBM반도체 ETF는 HBM·D램 중심에서 낸드·메모리 장비까지 투자 범위를 확장해 AI가 견인하는 메모리 슈퍼사이클 전 국면을 한 상품으로 담아낼 수 있도록 설계됐다”고 말했다.

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