"AI는 이제 시작, 韓 반도체 절호의 기회"…삼성·SK 미래 기술 총출동

SEDEX 2026서 삼전·닉스 AI메모리 솔루션 대거 공개 송재혁 삼성 사장, 4F² D램 개발 언급…기술 경쟁 가속안현 SK하닉 사장, HBM 넘어 '3D 스택 D램' 기술 제시HBM4E 등 차세대 AI 메모리 전시에 관람객 발길 북적 등록 2026-10-14 오후 5:41:13 수정 2026-10-14 오후 5:41:13 가 가 [이데일리 김소연 최오현 기자] “인공지능(AI)는 이제 시작입니다. 대한민국에 절호의 찬스가 왔습니다.” 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘제28회 반도체대전(SEDEX 2026)’은 AI 시대를 맞은 한국 반도체 산업의 기술 경쟁력을 확인하는 자리였다. 삼성전자와 SK하이닉스는 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 AI 반도체 기술을 대거 선보이며 미래 메모리 시장의 주도권 확보에 나섰다. 중국 창신메모리(CXMT)가 서버용 D램에 적용하겠다고 밝힌 차세대 D램 셀 구조인 ‘4F²(포에프스퀘어)’ 기술을 삼성전자도 개발 진행 중인 것으로 확인됐다. 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 반도체대전(SEDEX) 2026 VIP투어에 동행한 안현 SK하이닉스 사장이 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)의 친필 서명이 담긴 고대역폭(HBM) 구조 모형을 소개하자 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 사장과 이준석 개혁신당 의원이 환하게 웃으며 함께 웨이퍼를 살펴보기도 했다. (사진=최오현 기자)이날 기조연설에 나선 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 “AI 확산을 통해 메모리가 한국 최고의 산업이라는 데 공감해주실 것”이라며 “인류가 경험하지 못한 속도로 AI 기술이 확산되고 있어 기술의 대중화 주기도 짧아지고 있다”고 강조했다. 삼전, 4F² 개발중…SK하닉, 3D 스택 D램 제시 현장에서는 HBM을 넘어 차세대 D램 기술을 확보하려는 국내 반도체 기업들의 움직임도 주목받았다. 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 사장은 이날 취재진이 ‘삼성전자도 4F² 기술을 개발하고 있느냐’고 묻자 “그렇다”고 답했다. 구체적인 개발 진행 상황에 대해서는 “열심히 합니다”라며 말을 아꼈다. SK하이닉스는 지난해 4F² 수직 게이트(VG) 플랫폼을 적용한 차세대 D램 개발 방향을 공개한 바 있다. 4F²는 D램 셀 하나가 차지하는 면적을 나타내는 단위로, 기존 6F² 구조보다 셀 면적을 약 3분의 1 줄일 수 있는 기술이다. 동일한 면적에 더 많은 셀을 집적할 수 있어 D램의 생산성과 원가 ...