첨단 EUV장비 막았더니 … 중국, 반도체를 쌓기 시작했다

화웨이가 지난 5월 새로운 반도체 기술 로드맵을 발표했다. 이번 발표의 핵심은 반도체 설계에 3차원 방식을 본격적으로 도입하겠다는 것이다. 성공할 경우 그 의미가 매우 클 것으로 보인다.

기존 반도체는 제조 시 발생하는 높은 열 때문에 웨이퍼 위에 트랜지스터를 딱 한 층만 만들 수 있었다. 흔히들 반도체를 웨이퍼 위에 수십 층씩 쌓아 올리는 것으로 알고 있지만, 사실 트랜지스터 윗부분은 그저 전기 신호가 오가는 구리선 통로일 뿐이다.

반도체 성능을 결정하는 핵심은 트랜지스터를 같은 공간에 얼마나 넣느냐다. 이 때문에 그동안은 좁은 1층 공간에 트랜지스터를 하나라도 더 집어넣기 위해, 회로를 아주 가늘고 미세하게 그려주는 최첨단 EUV(극자외선 노광 기술) 장비의 역할이 절대적이었다.

반면 미국의 수출 규제로 이 장비를 들여올 길이 막힌 중국 기업들에, 평면 구조 그대로 트랜지스터를 더 늘릴 방법은 없었다.

하지만 화웨이는 이번에 트랜지스터를 2층으로 쌓아 올리는 3차원 설계를 내놨다. 이 방식은 트랜지스터가 놓인 두 개의 웨이퍼가 샌드위치처럼 마주 보게 하고, 그 접합부에는 구리 배선과 절연막이 들어가도록 아키텍처를 설계한 것이다.

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