"반도체 기술 유출은 국가적 손실"…中에 정보 빼돌린 삼성 前직원 중형

삼성전자의 반도체 핵심 공정기술을 중국 기업에 유출한 전직 연구원이 1심 재판에서 징역 7년의 중형을 선고받았다.

서울중앙지방법원 형사합의28부(부장판사 한대균)는 22일 산업기술보호법 위반 등 혐의로 구속기소된 전직 연구원 전모씨(56)에게 징역 7년을 선고했다. 재판부는 유출된 기술이 국가 핵심기술에 해당하고, 전씨가 공모해 이를 해외로 넘긴 사실이 인정된다며 유죄로 판단했다.

재판부는 “국내 대기업이 막대한 비용을 들여 개발한 핵심 정보를 취득해 외국에서 사용하도록 했다”며 “기업뿐 아니라 대한민국 전체에 손실을 입힌 점에서 엄한 처벌이 불가피하다”고 밝혔다.

전씨는 전직 삼성전자 부장 김모씨와 함께 중국 반도체기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)로 이직하는 과정에서 삼성전자의 D램 공정기술을 유출한 혐의를 받는다. CXMT는 중국 지방정부가 약 2조6000억원을 투자해 설립한 D램 제조업체다.

유출된 기술은 삼성전자가 약 1조6000억원을 투입해 세계 최초로 개발한 10나노급 D램 공정기술로 알려졌다. 검찰은 이 기술이 반도체산업 경쟁력의 핵심에 해당하는 국가 핵심 기술이라고 보고 기소했다.

전씨는 기술 유출 대가로 CXMT로부터 계약 인센티브와 스톡옵션 등을 포함해 6년간 약 29억원을 받은 것으로 조사됐다. 여기에는 계약 인센티브 3억원과 주식을 살 수 있는 권리인 스톡옵션 3억원 등이 포함됐다.

최근 사법부는 기업의 핵심 기술 유출 범죄에 과거보다 엄격한 기준을 적용하고 있다. 반도체, 2차전지 등 산업계 핵심 기술 유출이 단순한 기업 피해를 넘어 국가 안보와 경제 전반에 치명적인 영향을 주기 때문이다.

함께 기소된 김씨 사건은 항소심 단계에서 다시 심리 중이다. 그는 2016년 CXMT로 이직하며 핵심 공정기술 자료를 유출한 혐의로 2심에서 징역 6년과 벌금 2억원을 선고받았으나, 대법원은 영업비밀 침해 행위의 구성 요건을 엄격히 구분해 파기환송했다.

김유진 기자 magiclamp@hankyung.com