“미국 땅에서 4나노 칩 생산”...미 바이든 정부 첨단 산업 유치 ‘이정표’

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미국 애리조나에서 TSMC가 역사상 처음으로 4나노 반도체 생산을 시작했다.

지나 러몬도 미국 상무장관은 이는 바이든 행정부의 반도체 노력에 이정표가 될 것이라고 강조하며, 미국 노동자들이 대만과 동일한 품질로 칩을 생산하고 있다고 밝혔다.

현재 TSMC는 2030년까지 2나노 공정이 활용될 세 번째 팹을 건설할 계획을 세우고 있다.

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미국에서 4나노(1나노는 10억분의 1) 반도체가 생산되기 시작했다. 대만 TSMC의 미국 애리조나 파운드리 공장에서다.

지나 러몬도 미국 상무장관은 지난 11일(현지시간) 로이터 통신과의 인터뷰에서 “미국 역사상 처음으로, 미국 땅에서 4나노 칩을 생산하고 있다”며 TSMC의 4나노 칩 양산 소식을 전했다.

TSMC 로고. 연합뉴스

TSMC 로고. 연합뉴스

이어 “미국 노동자들이 대만과 동일한 수준의 수율과 품질로 첨단 4나노미터 칩을 생산하고 있다”며 “최근 몇 주간 생산이 시작됐다”고 설명했다.

러몬도 장관은 “이것은 큰 성과이자, 이전에는 한 번도 이뤄진 적이 없었고 많은 사람이 불가능하다고 생각했던 일”이라며 “이는 바이든 행정부의 반도체 노력에 이정표가 될 것”이라고 강조했다.

현재 가장 앞선 파운드리 상용 기술은 3나노 공정으로, TSMC와 삼성전자는 대만과 한국에서 각각 3나노 제품을 양산 중이다.

바이든 행정부는 막대한 보조금을 제공하며 글로벌 반도체 업체의 미국 내 공장 건설을 독려해 왔으며, 지난해 11월 TSMC에 지급할 반도체 지원금 66억 달러를 확정한 바 있다.

TSMC는 앞서 지난 4월 미국 내 투자 규모를 650억달러로 확대하고, 2030년까지 애리조나주에 2나노 공정이 활용될 세 번째 팹(fab·반도체 생산공장)을 건설한다는 계획을 발표하기도 했다.

러몬도 장관은 이는 상무부가 TSMC를 설득해 미국 내 계획을 확장하도록 했다고 말했다.

그는 “이 일은 저절로 이뤄진 것이 아니다”라며 “TSMC가 확장을 원하도록 우리가 설득해야 했다”고 밝혔다.

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