“6인치 넘어 12인치로”…삼성·ASML, 차세대 반도체 개발 ‘맞손’

금융 > 은행 “6인치 넘어 12인치로”…삼성·ASML, 차세대 반도체 개발 ‘맞손’ ASML 주도 ‘대형 마스크 컨소시엄’ 참여2028년 D램에 업계 첫 차세대 노광 설비 도입 전영현 삼성전자 대표이사 부회장.[연합뉴스] 삼성전자가 네덜란드 반도체 장비업체 ASML과 손잡고 차세대 반도체 제조 기술 확보에 나선다. 기존 6인치 포토마스크를 12인치로 키우는 공동 개발에 참여하고, 2028년에는 업계 최초로 차세대 D램 생산에 차세대 노광 설비인 ‘하이(High) NA EUV(극자외선)’ 장비를 도입한다.삼성전자는 ASML이 주도하는 ‘대형 마스크 컨소시엄(Large Size Mask Consortium)’에 참여한다고 8일 밝혔다. 현재 반도체 노광 공정에서 주로 사용하는 6인치 포토마스크를 12인치로 전환하기 위한 협의체다. 참여 기업들은 관련 기술 동향을 공유하고 12인치 포토마스크 공동 연구와 표준 개발 등을 추진한다.포토마스크는 반도체 회로 패턴을 정교하게 새겨놓은 일종의 ‘틀’이다. 노광 장비가 이 마스크를 통해 빛을 쏴 웨이퍼 위에 회로를 그린다. 반도체 회로가 미세해지고 복잡해질수록 포토마스크 기술이 생산성과 수율에 미치는 영향도 커진다.12인치 마스크가 주목받는 이유도 여기에 있다. 기존 6인치 마스크를 이용하면 넓은 회로를 여러 차례 나눠 새긴 뒤 이를 연결하는 ‘스티칭(stitching)’ 작업이 필요하다. 마스크 크기를 12인치로 확대하면 이런 제약을 줄일 수 있어 생산성을 높이고 칩 제조 비용도 낮출 수 있다는 게 삼성전자의 설명이다. 수백억 개의 트랜지스터를 정밀하게 배치해야 하는 첨단 반도체일수록 효과가 커질 것으로 기대된다.삼성전자는 ASML과 High NA EUV의 D램 적용에도 속도를 낸다. 2028년 첨단 D램 제조에 High NA EUV를 업계 최초로 도입한다는 계획이다. High NA EUV는 기존 EUV보다 더 미세한 회로를 그릴 수 있는 차세대 기술로 꼽힌다. 삼성전자는 이를 통해 D램 미세화 로드맵을 연장하는 동시에 공정 단순화와 생산성 향상을 꾀한다.전영현 삼성전자 대표이사 부회장은 “혁신 기술과 강한 파트너십을 바탕으로 파운드리와 메모리를 포함한 첨단 반도체 제조 리더십을 이어가겠다”며 “ASML과 협력을 한층 강화해 ‘넥스트(Next) AI’를 위한 기술 기반을 마련해 나갈 것”이라고 말했다.크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 “삼성전자는 오랜 기...