삼성-ASML, 차세대 반도체 동맹… 12인치 포토마스크 공동개발

대형 마스크 컨소시엄에 참여 미세공정 생산성 대폭 높아질듯 D램에 ‘하이NA EUV’ 장비 적용 “넥스트AI 기술 기반 마련할 것” 삼성전자는 첨단 반도체 제조 역량을 강화하기 위해 네덜란드 장비업체 ASML이 주도하는 ‘대형 마스크 컨소시엄’에 참여한다고 8일 밝혔다. 현재 6인치인 포토 마스크를 12인치로 전환하기 위한 차세대 기술을 공동 개발해 미세 공정의 생산성을 끌어올리겠다는 계획이다.‘포토 마스크’란 웨이퍼에 새길 회로 패턴이 담긴 원판으로 미세 공정에 반드시 필요한 도구다. 카메라 사진으로 치면 일종의 필름과 비슷한 역할로, 반도체 제조사가 웨이퍼에 회로를 그릴 때 포토 마스크를 통해 빛을 투과시켜 패턴을 찍어낸다. 대형 마스크 컨소시엄은 지난 수십 년간 노광 공정에 사용된 6인치 포토 마스크를 12인치로 전환하기 위한 협의체다. 포토 마스크의 크기가 커지면 그만큼 한 번에 넓은 면적의 회로를 웨이퍼에 새길 수 있다. 나누어 새기고 이를 연결하는 등의 작업 부담이 줄어드는 셈으로 공정 불량률과 원가 부담을 크게 낮출 수 있다. ASML은 반도체 회로를 그릴 때 쓰는 노광(露光)장비 분야 세계 최대 회사로 미세 공정에 필수인 극자외선(EUV) 노광장비를 전 세계에 독점 공급하는 것으로 유명한 기업이다. 삼성은 ASML과 노광장비 및 포토 마스크에 대한 글로벌 기술 동향을 함께 모니터링하고 공동 연구, 표준 개발 등의 협력 활동을 펼칠 계획이다. 삼성전자는 12인치 포토 마스크가 특히 앞으로 도입될 하이(High)NA EUV 장비 도입과 함께 큰 시너지를 낼 것이라고 강조했다. 기존 EUV 장비는 웨이퍼에 회로를 한 번 새길 때 13.5nm(나노미터·1nm는 10억분의 1m)까지 얇게 그릴 수 있는 반면 하이NA EUV는 8nm까지 낮출 수 있다. 빛의 개구수(NA)를 높여 더 세밀한 회로를 그리는 방식이다. 사진을 찍을 때 카메라 조리개를 더 열어 많은 빛을 받아들이고 선명한 사진을 찍는 것과 같은 원리다. 반도체업계는 그동안 EUV 장비로 공정을 여러 차례 반복하는 ‘멀티패터닝’ 방식을 통해 2nm까지 미세회로를 구현했다. 다만 멀티패터닝, 즉 공정 횟수가 많아질수록 수율(정상품 비율)이 떨어지는 문제가 발생할 수 있는데 하이NA EUV 장비를 사용하면 이론상 기존 EUV 장비를 썼을 때보다 멀티패터닝 횟수를 절반으로 줄일 수 있다. 삼성전자는 “하이NA EUV 도입과 함께 12인치 포토 마스크 전...