"4F²는 신화"…마이크론 포기에 삼성·SK와 D램 전략 엇갈려

20년 연구 끝에 상용화 포기…경제성 한계 판단기존 6F² 공정 고도화·웨이퍼 본딩에 집중삼성·SK는 수직 트랜지스터 기반 기술 개발 지속차세대 D램 기술 전략 엇갈려…양산 경쟁력 관건 등록 2026-10-26 오후 5:34:28 수정 2026-10-26 오후 5:34:28 가 가 [이데일리 송재민 기자] 미국 마이크론이 차세대 D램 핵심 기술로 꼽혀온 ‘4F²(4F 스퀘어)’ 셀 구조의 상용화를 포기하면서 글로벌 메모리 반도체 3사의 기술 개발 전략이 엇갈리고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스가 4F² 개발을 이어가는 것과 달리 마이크론은 기존 공정 고도화와 3차원(3D) D램에 집중하기로 했다. D램 미세화가 물리적 한계에 가까워지는 가운데 기술 선택에 따라 향후 경쟁 양상도 달라질 전망이다. 마이크론. (사진=AFP)26일 반도체 업계와 외신에 따르면 마이크론은 지난 21일(현지시간) 기술 웨비나에서 향후 10년간의 메모리 기술 로드맵을 공개하며 4F²를 채택하지 않겠다는 방침을 밝혔다. 스콧 드보어 마이크론 사장 겸 최고기술·제품책임자(CTPO)는 20년 이상 해당 기술을 연구했지만 공정 복잡성과 비용 증가, 미세화의 근본적인 한계로 상용화를 추진하지 않기로 했다고 설명했다. 4F²는 D램 셀 하나가 차지하는 면적을 기존 6F²보다 이론적으로 약 33% 줄이는 기술이다. 셀 면적을 줄여 집적도를 높일 수 있다는 점에서 차세대 D램 미세화의 핵심 기술로 거론돼 왔다. 그러나 마이크론은 셀 면적 축소가 실제 집적도 향상으로 직결되지는 않는다고 판단했다. D램 집적도를 좌우하는 것은 트랜지스터 구조뿐 아니라 전하를 저장하는 커패시터의 간격이며, 4F²를 적용하더라도 제조비용과 공정 복잡성이 증가할 수 있다는 것이다. 드보어 CTPO는 웨비나 질의응답에서 4F²가 6F²보다 실질적인 이점을 제공한다는 주장은 “다소 신화에 가깝다”고 평가했다. 그는 과거 공정에서는 4F² 구현이 가능하지만 비용과 복잡성이 증가한다며 첨단 공정으로 갈수록 물리적인 미세화 한계에 직면한다고 설명했다. 마이크론은 대신 기존 6F² 구조를 개선하면서 웨이퍼 본딩과 3D D램 개발에 집중할 계획이다. 현재 양산 중인 1감마(1γ) 공정에 이어 2027년 하반기 차세대 1델타(1δ) D램 양산에 돌입할 예정이다. 후속 1엡실론(1ε) 공정에는 서로 다른 웨이퍼를 결합하는 본딩 기술을 도입해 집적도를 높일 방침이다. 장기적으로는 메모리 셀을 수...