삼성전자 D램 기술 중국에 유출한 전직 연구원에 징역 7년

삼성전자의 핵심 반도체 기술을 중국으로 유출한 혐의로 기소된 전직 연구원이 1심에서 징역 7년을 선고받았다.

22일 법조계 등에 따르면 서울중앙지법 형사합의28부(한대균 부장판사)는 산업기술보호법 위반 등 혐의로 구속기소된 전모(56)씨에 대해 징역 7년을 선고했다.

재판부는 유출된 기술이 국가 핵심기술에 해당하고, 유출 과정에 전씨가 공모했다는 점이 인정된다고 판단했다. 그러면서 "기업은 물론 대한민국에까지 손실을 입혔기 때문에 엄한 처벌을 할 수밖에 없다"고 판시했다.

전씨는 전직 삼성전자 부장 김모씨와 함께 중국 반도체 업체 CXMT(창신메모리테크놀로지)로 이직하는 과정에서 삼성전자의 D램 반도체 공정 기술을 중국 기업에 유출한 혐의로 지난해 5월 구속기소됐다.

CXMT는 중국 최초의 D램 제조업체로, 전씨 등이 유출한 기술은 삼성전자가 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 최신 공정 기술로 전해진다. 전씨는 CXMT로부터 계약 인센티브 3억원, 스톡옵션 3억원 등을 포함해 6년간 29억원을 받은 것으로 조사됐다.

한경우 한경닷컴 기자 case@hankyung.com