“HBM만 보지 마세요”…반도체 증설 본격화, 후공정주도 소·부·장 볕든다 [오늘 나온 보고서]

증권 > 국내 주식 “HBM만 보지 마세요”…반도체 증설 본격화, 후공정주도 소·부·장 볕든다 [오늘 나온 보고서] 하나증권 “DRAM 웨이퍼 투입 2027년까지 15% 증가”HBM이 후공정 캐파 차지하며 범용 패키징·테스트 외주화4분기부터 소재·부품·테스트로 증설 수혜 확산SFA반도체·에이팩트·디아이·와이씨 등 후공정주 주목 [사진=연합뉴스] HBM(고대역폭메모리)에 집중됐던 반도체 투자 사이클이 범용 D램과 낸드플래시 증설로 확대되면서 후공정 소재·부품·장비 업체까지 수혜가 번질 것이라는 전망이 나왔다. 기존 생산능력을 HBM이나 선단 공정으로 전환하는 데 집중됐던 직전 사이클과 달리 앞으로는 실제 웨이퍼 투입량과 생산량 자체가 늘어나는 증설의 시대에 진입한다는 분석이다.하나증권은 2일 보고서에서 반도체 소재·부품·장비 업종에 대해 ‘비중확대(Overweight)’ 의견을 제시했다. 삼성전자 평택 P4와 SK하이닉스 청주 M15X의 생산능력 확대가 진행되는 가운데 용인 Y1 장비 발주와 평택 P5 장비 공급사 선정 등 후속 투자 일정도 구체화되고 있다고 진단했다.산업 자료 기준 D램 웨이퍼 투입량은 올해 8.5%, 내년 5.8% 증가해 2025년 대비 2027년까지 15% 가까이 늘어날 것으로 전망됐다. NAND 역시 올해 바닥권을 지나 내년 증가세로 돌아설 것으로 예상됐다. 하나증권은 “이번 사이클의 핵심은 캐펙스 증가 자체보다 실제 웨이퍼 투입과 생산량이 함께 늘어난다는 점”이라고 설명했다.D램 공급 부족도 증설을 뒷받침할 것으로 봤다. D램 공급충족률은 올해 내내 마이너스를 이어간 뒤 2027년 들어 공급 부족이 다시 심화돼 연말에는 -5.7%까지 떨어질 것으로 예상됐다. 특히 서버향 D램은 내년 하반기 공급 부족률이 -9.8%까지 확대될 전망이다. 반면 NAND는 올해 4분기 수급 균형을 거쳐 내년에는 연간 약 5% 수준의 공급 과잉으로 전환될 것으로 내다봤다.이번 보고서가 특히 주목한 영역은 후공정이다. SK하이닉스는 P&T7에 19조원을 투자하고 있으며 삼성전자도 천안·온양을 중심으로 HBM과 첨단 패키징 후공정 생산능력을 확대하고 있다. 동시에 삼성전자는 베트남에서 범용 D램·NAND 패키징·테스트 기능을 확충하고 있다.HBM 확대가 기존 후공정 생산능력을 차지하면서 범용 메모리의 패키징·테스트 물량이 외부 업체로 넘어가는 흐름도 나타나고 있다. 하나증권은 삼성전자가 서버용 DDR5...