베시 CEO "삼성 HBM4 '하이브리드 본딩' 적용, 2Q 초가 분수령" [강해령의 테크앤더시티]

꿈의 반도체 패키징 장비인 '하이브리드 본더' 기술에서 가장 앞선 업체로 평가받는 네덜란드 베시(Besi)가 삼성전자와 SK하이닉스의 고대역폭메모리(HBM) 하이브리드 본딩 도입에 대해 언급했다. 차세대 제품인 7세대 HBM 뿐만 아니라 올해 간판인 6세대(HBM4) 제품 양산에서부터 쓰일 수 있다는 가능성을 제기해 눈길을 끈다.

리처드 블리크먼 베시 CEO는 19일(현지시간) 회사의 4분기 실적발표회를 통해 HBM에서의 하이브리드 본딩 적용에 관한 각 메모리 회사의 현황을 공유했다.

블리크먼 CEO는 "올해는 HBM 적층에서 하이브리드 본딩 채택을 이해하는 데 매우 중요한 해가 될 것"이라며 "삼성전자는 이달 세미콘코리아 2026 기조연설에서 하이브리드 본딩 채택을 위한 매우 명확한 로드맵을 제시했다"고 말했다.

그는 "2분기 초, 즉 5~6월 경 HBM4에서 하이브리드 본딩이 어느정도로 도입될 지 명확해질 것으로 보인다"며 "또한 이전 세대 제품(HBM3, HBM3E) 12단 적층 제품에서도 (하이브리드 본딩이) 적용될 가능성도 있다"고 말했다.

그는 회사 이름을 명확하게 밝히진 않았지만, SK하이닉스로 추정되는 메모리 고객사에 대해서도 설명했다. 블리크먼 CEO는 "세계 메모리 3강 중 가장 큰 회사도 올해 2분기부터 하이브리드 본딩 공정에 대한 퀄(승인) 테스트를 시작할 것"이라며 "올해말 쯤 HBM4에서 사용할지, 차세대인 20단 적층을 위해 사용할지에 대해 결론내릴 가능성이 크다"고 말했다.

하이브리드 본더는 차세대 패키징 장비다. 서로 다른 칩 또는 웨이퍼를 범프 같은 연결 재료 없이도 포개는 하이브리드 본딩에 쓰이는 핵심 설비다. 기존과 달리 칩 사이 간격이 '0'에 가까워 데이터 전송 속도가 더 빨라지고, 칩 두께까지 얇아질 수 있다는 장점이 있다.

다만 현재 쓰이고 있는 열압착(TC) 본딩, 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF) 등 결합 기술에 비해 공정 난도가 상당히 높은 기술이다.

베시는 하이브리드 본딩 기술에서 세계적으로 독보적인 회사다. 이들은 세계 반도체 장비 1위 회사 어플라이드 머티어리얼즈(AMAT)와 손잡으면서 더 강해지고 있다. AMAT의 전공정 기술, 베시의 후공정 기술을 합한 키넥스(Kinex)라는 장비 플랫폼을 개발하고 있다.

베시는 삼성전자의 하이브리드 본딩 기술도 밀착지원하는 것으로 알려졌다. 현재 삼성전자는 2대의 베시 하이브리드 본더로 다양한 테스트를 진행하고 있는 것으로 알려졌다.

삼성전자는 1월 실적 발표회를 통해 "차세대 적층 기술인 하이브리드 본딩을 HBM4에 적용해 해당 샘플을 지난 분기 주요 고객사에 전달, 기술 협의를 시작했다"며 "HBM4E 단계에서 일부 사업화를 계획하고 있다"고 발표한 바 있다. 블리크먼 CEO에 따르면 하이브리드 본딩 성공 여부에 따라, HBM4E는 물론 HBM 전반에 이 기술이 상용화될 수 있다고도 풀이할 수 있다.

현재 하이브리드 본더는 1위 베시 외에도 다양한 회사들이 도전장을 냈다. 국내에선 LG전자, 세메스, 한미반도체, 한화세미텍 등이 개발하고 있고 싱가포르의 ASMPT 역시 관련 기술 확보에 나섰다.

강해령 기자 hr.kang@hankyung.com