ASML과 협력 넓히는 삼성…D램 미세화 경쟁 선제 대응

ASML 주도 12인치 포토마스크 컨소시엄 참여2028년 업계 최초 D램 제조에 하이-NA EUV 도입차세대 반도체 제조 표준 주도…협력 강화 등록 2026-09-08 오후 7:08:22 수정 2026-09-08 오후 7:45:14 가 가 [이데일리 최오현 기자] 삼성전자와 ASML의 12인치 포토마스크 협업은 단순한 부품 개발을 넘어 고(高)개구수 극자외선(하이-NA EUV) 시대의 반도체 제조 표준을 주도하려는 행보다. SK하이닉스까지 협업을 검토하는 것은 기술 패권을 위한 반도체 초미세화의 핵심인 차세대 EUV 장비 기술의 중요성을 드러낸 것이라는 평가가 나온다. 삼성전자 평택캠퍼스 생산 라인_(사진=삼성전자 제공)8일 업계에 따르면 삼성전자가 참여하는 ASML 주도의 ‘대형 마스크 컨소시엄’은 현재 반도체 노광설비에 사용되는 6인치 포토마스크를 12인치로 전환하기 위한 협의체다. ASML은 전 세계에서 유일하게 EUV 노광 기술을 보유한 글로벌 설비 업체다. 삼성전자와 ASML 등은 이를 통해 공동 연구와 표준 개발 등을 추진한다. 로이터에 따르면 SK하이닉스 역시 12인치 포토마스크 도입과 관련한 컨소시엄 참여를 검토하고 있다고 밝혔다. 포토마스크는 미세 회로 패턴을 새긴 틀로, 노광장비 안에서 빛을 받아 회로 패턴을 웨이퍼에 전사하는 데 사용된다. 반도체 업계에서는 수십년간 6인치 규격을 사용해왔다. 하지만 최근 AI 반도체 등 회로가 복잡해지면서 하나의 회로를 한번에 웨이퍼에 새기는 것이 어려워졌다. 이에 업계는 회로를 여러 조각으로 나눠 새기고 이를 다시 웨이퍼 상에서 연결하는 작업(Die Stitching)을 통해 극복해왔다. 다만 이 과정에서 생산 시기가 늘어나고 불량률이 높아지는 문제가 있었다. 업계는 하이-NA EUV 도입과 함께 12인치 마스크 전환으로 차세대 반도체 제조 생산성을 극대화 시킬 것으로 기대하고 있다. 하이-NA EUV는 기존 EUV보다 2배 이상 미세한 회로를 구현할 수 있는 차세대 노광장비다. 기존 EUV와 동일한 극자외선을 이용하지만 빛의 개구수(NA)를 높여 더욱 세밀한 회로를 패터닝할 수 있다. 사진을 찍을 때 카메라 조리개를 더 열고 많은 빛을 받아들여 선명한 사진을 찍는 것과 같은 원리다. 특히 미세 회로를 새기기 위해 여러 번 작업해야 하는 기존 장비보다 멀티패터닝 횟수를 절반으로 줄였다. 2nm 구현을 위해 기존 장비는 4번의 작업이 필요했지만 하이-NA E...